Category Archives: Получение кремниевых пластин для солнечной энергетики

ОБСУЖДЕНИЕ РЕЗУЛЬТАТОВ

В соответствии с анализом, проделанным в работе [15], можно оп­ределить область решений, где допустимо одномерное приближение. Она ограничивается неравенством [15]

h2» 1. (55)

Область решений (если принять границей h =10) для различных б показана на рис. П.1.3. Она находится выше кривой d(W) и имеет по­грешность решения <1%. Хорошая точность решения достигается уже для тех значений du которые удовлетворили бы технологов (см. гл. 1, разд. 1.4).

Несмотря на нелинейность (12), градиент температуры вдоль гори­зонтальной оси кристаллизатора в области / является постоянным при реальных режимах. Изменение VХТ в области II в сильной мере

зависит от Xi, 5 и W. В общем случае с ростом Xi продольный гради­ент уменьшается, что способствует ослаблению термических напряже­ний. Аналогично — и для поперечного градиента WZT. Таким образом, изотермы при продольном сечении параллельны между собой и накло­нены относительно перпендикуляра к плоскости ленты (рис. П. 1.4).

ОБСУЖДЕНИЕ РЕЗУЛЬТАТОВ

W, см

Рис. П.1.3. Области допустимости одномерного приближения с погрешностью ~1%.

ОБСУЖДЕНИЕ РЕЗУЛЬТАТОВ

X, мм

б

ОБСУЖДЕНИЕ РЕЗУЛЬТАТОВ

X, мм

Для каждой толщины ленты (1 — 100; 2 — 300; 3 — 500 мкм) области решений (d\ W) с погрешностью <. 1% лежат выше соответствующей кривой.

Рис. П. 1.4. Изотермы в кристаллизующейся и охлаждающейся ленте кремния. Скорость вытягивания — 35,7 см/мнн; угол наклона фронта кристаллизации к плоскости ленты — 0,5°; длина зоны кристаллизации — 10,9 мм; скорость роста — 0,33 см/мин; ожи­даемый средний размер зерна — 13 мм. а — осевые градиенты температуры в зонах кри­сталлизации и охлаждения равны; б — осевой градиент температуры в зоне охлаждения в 10 раз больше, чем в зоне кристаллизации.

10

ОБСУЖДЕНИЕ РЕЗУЛЬТАТОВ

5 10 15 20 25

di, мм

0,3

0,6

і

aj

і

0,1

Рис. П.1.5. Зависимость длины зоны кристаллизации и скорости кристаллизации от среднего размера зерна при различной толщине ленты.

1 — 100; 2 — 300; 3 — 500 мкм. Существенное влияние ширины ленты на данную зависимость не отмечено.

На рис. П. 1.5 мы видим зависимости скорости роста и длины зоны кристаллизации от задаваемого среднего размера зерна. Фактически при d > 10 мм имеет место независимость и h от толщины и шири­ны ленты. Нас интересуют большие размеры зерен, поэтому можно по­лагать, что ок и /г не зависят от 5 и W. Для увеличения ожидаемого размера зерна необходимо увеличивать h и уменьшать и*. При этом надо учитывать, что по сравнению с изменениями h скорость кристал­лизации практически не зависит от d.

Величины ив и у изменяются экспоненциально в зависимости от размера зерна (рис. П. 1.6). Такие сильные зависимости указывают на технологическую сложность попадания в оптимальный режим (т. е. со­ответствие vB и h, или vB и V*T). Зависимости (d0 и у (d) подобны и антибатны, что следует из (46) и слабой зависимости от d (см. рис. П. 1.5), поэтому рассмотрим только vB (d, 5, W). Скорость вытя­гивания достаточно существенно зависит от W, однако к производи­тельности (см2/мин) это не относится. В то же время видно (рис. П. 1.6), что увеличение толщины ленты в п раз уменьшает производительность также в и раз при том же среднем размере зерна. Литье ленты с более крупным размером зерна мы можем производить с большей vB, однако это требует увеличения длины зоны кристаллизации (см. рис. П. 1.5) и

ОБСУЖДЕНИЕ РЕЗУЛЬТАТОВ

du мм

Рис. П.1.6. Зависимость скорости вытягивания и угла наклона фронта кристаллизации к горизонтальной плоскости от среднего размера зерна при различных значениях толщины 5 и ширины W ленты.

W= 20 см; 5, мкм: 1 — 100,2 — 300, 3 — 500; 5 = 100 мкм; W, см: 4 — 10,5 — 20,6 — 40.

значительного уменьшения VХТ (рис. П.1.7). Контроль VХТ упирает­ся в аппаратурное решение. Для устойчивого контроля и управления процессом при высоких температурах (Гс= 1685 К) (см. гл. 2, разд. 2.5), по-видимому, не следует опускаться ниже VXT = 0,1-1 К/см, что огра­ничивает нас по размеру зерна сверху d =15-25 мм (см. рис. П.1.7) в зависимости от толщины ленты. Исходя из соображений качества лен­ты и аппаратурных возможностей, лучше лить более толстую и широ­кую ленту. Таким образом, видно, что условия качества и производи­тельность (а с ней и материалосбережение) противоречат друг другу. Из представленных вариантов (5= 100, 300 и 500 мкм) видно, что, про­игрывая в производительности в 5 раз (с ростом толщины), можно вы­играть в размере зерна лишь в 2 раза. Обзор литературы (см. гл. 1, разд.

1. 4) показывает, что при существующих простейших (как наиболее экономически выгодных) технологиях изготовления кремниевых сол­нечных элементов наземного применения увеличение размера зерна в 2 раза на среднем уровне d =15 мм не дает заметного увеличения в эф­фективности преобразования солнечной энергии. Двукратный рост среднего размера зерна существенен при d < 1 мм [1-4]. Отсюда мож­но сделать вывод, что практичнее лить более тонкую ленту, например в 100 мкм толщиной.

10 20 30 40 50

dx. мм

Рис. П. 1.7. Зависимость осевого градиента температуры «г среднего размера зерна при различной толщине и ширине ленты.

Уел. обозн. см. рис. П.1.6.

Область охлаждения ленты ввиду малого ЧХТ ъ области кристал­лизации лучше разделить на два участка. На первом необходимо под­держивать ЧХТ близкий по величине к области / (см. рис. П.1.1) с це­лью более точного контролирования малого градиента. На втором участ­ке (основном по длине для области II, рис. П. 1.1) V ХТ должен уста­навливаться более значительным также из-за аппаратурных (компоно­вочных) соображений.

* * *

На основе проведенного моделирования видно, что литье крем­ниевой ленты в плоском широком кристаллизаторе вполне может обес­печить получение качественной ленты при высокой производительно­сти. В качестве прототипа может выступать способ HCRP (см. гл. 6, разд. 6.2). Полученные в результате моделирования соотношения могут быть использованы при оптимизации технологии и конструировании оборудования. Оценочный расчет показывает, что техническая реали­зация на современном аппаратурном уровне позволит получать крем­ниевую ленту с одной установки для обеспечения производства сол­нечных элементов ~2 МВт/год.

Область охлаждения ленты

Для удобства решения переместим начало координат из точки х = О в точку х = h и перейдем от переменной х к переменной х. При х = 0 в соответствии с решением в зоне кристаллизации будем иметь следую­щие граничные условия:

£(0,г) = ехр K*a^(l-eP(1_z)jj, (17)

= _к * asjft (0, г) еР(1_г), 0 < г £ 1. (18)

at

Уравнение (2) описывает также стационарное распределение тем­ператур в области охлаждения ленты — 0 < т < L. Учитывая (11), за­пишем (2) в безразмерном виде

Э0(х, г) Э20(т, г) дШь(г) ^ ^

Эх Эг2 Эт

где по аналогии с (3)

t

0 (t, г) = | Xs (t) dt = In [і (t, г) / tb (t)] (2ft)

В соответствии с предположением (в) примем граничные условия первого рода на верхней и нижней стенках кристаллизатора, учитывая (8), (12), (17) и (19)

(22)

(23)

(24)

Ч ("О * t(х,0) = tb (0)exp[«•<(!-«*)], 0 < х < xL; tb (0) ■ t (0,0) = ехр[к*о* (l — ep)];

Ј(x, l) = exp[^c*a* (1-й»’)]. о < x < xL.

Учитывая (20), перейдем в выражениях (17)—(18), (22)-(24) к перемен­ной 0:

(25)

(25) (27)

0(о, г) = к*<(ер-ер(1 г)у 0 < г ^ 1; Э^^ = к*<(л-Р2ер(1_г)), 0 < г < 1;

Эт

0(т, 1) = к*а5т (є’*»’ — є*’ +е?-І), (28)

Соответствие (26) и (18) при г = 0 и г = 1 требует

Л=Р2еРиД=р2. (29)

Таким образом, возможная погрешность в тепловом потоке при выборе независимых Аь и At составляет ~ к * affi. Так как р « 1, то такой погрешностью можно пренебречь.

Будем предполагать, что одинакова в областях I и II (см. рис. П. 1.1). В противном случае анализ показывает, что при принятом ана­литическом виде (22) и (24) возникает строгая зависимость между ско­ростью вытягивания и физическими характеристиками кремния, то есть отсутствует всякая технологическая вариабельность. Для кремния при условии, что в кристаллизаторе лента охлаждается на 150 К, постоянст­во asm соблюдается с точностью 6%. Учитывая экспериментальную погрешность в измерениях свойств и сделанные предположения, такая погрешность является вполне удовлетворительной.

Способ решения уравнений вида (19) очень подробно описан в [9]. Разложим 0 (х, г) в ряд Фурье по синусам (в соответствии с условием (27)) по параметру г на интервале 0 < z < 1

®M.= S2M*)sin(M. (3°)

п=I

где

і

(х) = J ©(x,2r)sm(n„^)f/^, (31)

о

и решим (19) при граничных условиях (25) — (28).

Умножим (19) на sin (|хпг) и проинтегрируем по г от 0 до 1

j э20(.1»г) sin (ц„г)dz = + к * а^Аье^, (32)

J0 dz дх

где в соответствии с (22) учтено, что

(33)

дх

Если взять интеграл в левой части (32) по частям, учесть (31) и

sin М-„ = 0, (34)

то

|3 Ц2’*"S‘n [©(х>°) " 0(х>1)cos^ J " А СО • (35)

Подставим (35) в (32)

Zh (г

+ ^п(‘с) = 5(ц„,х), (36)

Эх где

В (ц„,х) ■ [0(х, о) — 0(х, l)cosp.„] + к * (1 — cosp.„)/p.„,

(37)

или с учетом (27) и (28)

(38)

В(іп, х) = к*а;

Решение дифференциального уравнения (36) имеет следующий вид:

0-да

В соответствии с (25), (31) и (34)

Ь„ (0) = J 0 (0, г) sin (ц„г) dz = к * <

о

lcosm^ ц„ | mcosi^

Ц„ Ц^+Р2 ц£+р2

(40)

Подставим (38) и (40) в (39), затем возьмем интеграл и получим

Ъп (х) = к * < Ц 1-^Ьі. «У —

v-n к + А

соЩ„ | Jj Дп+Р2

M. ncosnn+e

^ 1 — COS Цп [1п Л

м* +Р2

(41)

Подстановка (41) в (30) дает

0(т, г>=?2к*а£,]£

Ц„ Sin(^„2)

Я=1

2Ah(e^-е~^х) | с^-бГ^

мМ+Л) Дп + Л

е^т _ g~tfr ^ (еР _ 1)(1 _ 2ер~ц"т (1 + ер)е~ц"т

Дп + Л + ^ + ^ ^+Р2

_ e-vi* ^ _ e-v^T (ер _ 1)(1 _ е^т}

V„ sin(V„2)

+ ^ ii———————— ‘ +

V„+A V^+Л,

, 0 Ј z< 1.

Здесь |0.„ = (2n-) n, v„ = 2nn.

Если правую часть (26) разложу аналогично в рад Фурье, то

(еР — l)e~v v2+p2

Область охлаждения ленты

(43)

Дифференцирование (41) по t и подстановка полученного выражения в (30) также дают нам (43). Таким образом, мы показали выполнение ус­ловия (26).

Требование уменьшения термических напряжений поперек плас­тины и ее равномерного охлаждения можно представить так:

(44)

Чч>’) = Ч{ч)

и

(45)

Э0(т,1) _ Э©(х, 0) Эг дг

В соответствии с (23) и (24) уравнение (44) свяжет параметры Аь и At. Согласно (30) уравнение (45) потребует только четных значений п,

т. е. в (42) останутся только слагаемые с v„.

Уравнения (8) и (42) показывают, что мы располагаем тремя сво­бодными параметрами: Аь, At и h. На рис. П. 1.1 видно, что h связыва­ет скорость роста и скорость вытягивания

(46)

vK = Уд sin y = vsBl V1 4-h2 = г>в! h.

Таким образом, выбор соотношения и* / vK определяет h в единицах б. Это реально ограничивается поддержанием необходимого механизма кристаллизации и теплового режима.

1.2. РАСЧЕТЫ

Средний размер зерна в поликристаллическом материале находит­ся в существенной зависимости от скорости охлаждения на фронте кристаллизации:

Область охлаждения ленты

(47)

В соответствии с выводами [10-11] эту зависимость мы можем пред­ставить в виде

(48)

dx = tvT1/2 ></,*.

10 20 30 40

о

d, мм

Рис. П.1.2. Зависимость размера вторичных дендритов от размера первичных дендритов.

Неравенство определяет наибольшее значение vT, при которой еще бу дет расти зерно заданного размера d*. При дендритном росте зерен размер вторичных ветвей дендритов в соответствии с выводами [11] можно определить как d2 = О, Ц°8. Он должен быть не меньше 1 мм либо существенно меньше 1 мм, чтобы не влиять на средний размер зерна. Зависимость d2{d{) — слегка нелинейна (рис. П. 1.2).

Параметр Ь в (48) определяли по данным работы [12]: при vT =

10 К/мин размер зерна d} — 3-5 мм. Отсюда Ь = 9,8 10“3 м(К/с)1/2, что хорошо согласуется с условиями, наблюдавшимися в [13]. Для оценки vK необходимо знать критическую скорость выращивания, превышение которой приводит к прекращению монокристаллического роста зерна. В [14] приводится эмпирическая формула для метода БЗП:

Область охлаждения ленты

(49)

только здесь размерности vK — в см/мин, D — в см. В [14] также отмечает­ся, что для устойчивого и воспроизводимого выращивания бездислока ционных монокристаллов оптимальна скорость, приблизительно в 2 раза меньшая, чем вычисляемая по формуле (49)

Область охлаждения ленты

(50)

Если эффективный размер площади фронта кристаллизации на рис. П.1.1 записать в виде

(51)

D = — fewbhisiiry,

то, подставляя (51) в (50) с учетом (46), получим

vK = 1,25 • 10’5 (JI/4W6)1 М (l + (Я/б)2 )~‘ ‘* (52)

Решая совместно (8), (12), (47), (48) и (52), приходим к нелинейному неравенству

А2 ~|/(і + /г2)3/4 £ 0, (53)

.1/2

где

(54)

K*Pg

V 1,28Ю10Л*(Ь, М)2

Из выражения (53) получаем значение длины зоны кристаллизации (или скорости вытягивания (46), (52)), обеспечивающее качественный рост зерна заданного размера. В общем случае скорость кристаллиза­ции является функцией переохлаждения и кристаллографической ори­ентации на фронте кристаллизации. Выражение (52) косвенно учитыва­ет эту зависимость, поскольку является следствием эмпирической фор­мулы (50).

Область кристаллизации

Сделаем следующие допущения:

а) температура кремния в жидком клине на интервале х = (0; h) равна температуре кристаллизации и не зависит от пространственных координат;

б) в соответствии с анализом, проведенным в [7], будем учи­тывать влияние перегрева расплава соответствующим увеличением теп­лоты кристаллизации в условии Стефана на поверхности раздела фаз;

в) точный контроль температуры нижней поверхности кри­сталлизатора предполагает граничные условия первого рода.

Поскольку кристаллизатор имеет однонаправленное охлаждение (только нижней поверхности), то в рассматриваемой модели (для об­ласти /, см. рис. П. 1.1) предполагаем, что верхняя стенка кристаллиза­тора является адиабатической и имеет температуру на своей нижней поверхности, равную температуре кристаллизации.

Область кристаллизации

Рис. П.1.1. Схема продольного разреза плоского кристаллизатора. %Цх) — фронт кристаллизации; (—Ха’, 0) — область снятия перегрева, /—область кристаллизации; II — область охлаждения ленты.

Рост качественного кристалла требует одинаковых условий на фронте кристаллизации. Наилучшим образом этому отвечает плоская форма ФК

£(.x) = x/h. (1)

При выполнении условия (1) можно рассматривать характеристики зернообразования вне зависимости от места роста.

Уравнение, определяющее распределение температуры в затвер­девшем кремнии, имеет вид [7]

Если использовать переменную Кирхгофа

t

« = (3)

і

то для области / уравнение (2) можно переписать в безразмерных пере­менных

= 0 <хйК 0 £ г £$(*). (4)

ах дг

На фронте кристаллизации температура везде равна температуре кри­сталлизации

■й(*,г) = 0, г = ^(х). (5)

Допущения (а) и (б) и результаты [7] дают возможность ввести эффек­тивную теплоту кристаллизации, учитывающую перегрев расплава

к* = к + cmv (^о 1) / 2рр,

где

cmv = т^-: Їсе (t)pe (0Л- ~1 ,

Тогда условие баланса теплоты на поверхности фазового превращения можно записать так:

(6)

где штрих означает производную по х.

Решение (4) при условиях (5) и (6) в соответствии с [7] можно представить в виде ряда

ЛІ+1

(7)

(8)

(9)

(Ю);

*(*•’)=§(Ре")’

Наложение условия (1) на (7) приводит к уравнению

В соответствии с (8) условие (в) можно записать в виде 0(л:,О) = к * asm (і — .

Так как Р/А «1,то

d(x,0) « — K*a^x/k = — к*Рescx/h2 « 1.

Согласно [8] теплопроводность кремния в интервале 500-1685 К может быть описана обратно пропорциональной зависимостью

(П)

(12)

(13)

Xs = lit.

Тогда из (3) мы получаем

ft(x, z) = In t (X, Z), t {x, z) =

или с учетом (10)

t (x, 0) = 1 + (x, 0) = 1 — к * Pe* X / h2.

Для точности решения и разработки технологии важно знать раз­мер зоны снятия перегрева расплава (лг0 на рис. П. 1.1), поступающего в кристаллизатор. Приравняем поток тепла перегрева и поток тепла, пе­редаваемый расплавом нижней стенке кристаллизатора,

v*PeC(8AT0 /X0=a(TM-Tw). (14)

Если разделить (14) на величину АеТс/Ь, то получим запись в безразмерных переменных

Pef At0/х0 = Nu(At0 /2 — Д^) (15)

или

х0 = Pef/ Nu (1 / 2 — Atw /А t0). (16)

При и* = 3 • 1СГ3 м/с, учитывая условие неразрывности v^P* = t^P5,

оценки для кремния показывают, что отношение Pec/Nu = 0,37. Тогда

при |Д^| = [Д£0( или Atw « 0 зона снятия перегрева меньше б.

МОДЕЛИРОВАНИЕ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ КРЕМНИЯ В ПЛОСКОМ КРИСТАЛЛИЗАТОРЕ*

Как было отмечено ранее (разд. 1.4), эффективность преобразова­ния энергии солнечного излучения в электрическую в значительной мере зависит от структурного совершенства материала, используемого в солнечных элементах. Требование высокого значения х„н накладывает ограничение снизу на размеры зерен в поликристаллической ленте (см. разд. 1.4.1), т. е. средний размер кристаллита d должен быть больше толщины ленты (пластины) б и желательно больше 1 мм [1-4].

Анализ способов непрерывного получения ленточного кремния непосредственно из расплава (см. гл. 4-9) показывает достаточную перспективность способа формирования тонкого ленточного кристалла в плоском кристаллизаторе машины горизонтального литья [5]. В этом случае имеет место высокая производительность и относительная про­стота получения ленты значительной ширины (200 мм и более). Основ­ными задачами организации такого процесса являются:

— формирование и поддержание в кристаллизаторе и ленте темпе­ратурных полей определенной конфигурации;

— постоянство скорости вытягивания;

— подбор и автоматизация режимов затравления;

— выбор покрытия внутренней полости кристаллизатора, обеспе­чивающего отсутствие взаимодействия с кремнием (в качестве приме­ра можно рекомендовать покрытие ЭЮг на S13N4, представленное на рис. 8.9).

Для выявления основных закономерностей проведем анализ одно­мерного уравнения теплопроводности совместно с эмпирическими со­отношениями, связывающими размеры и структурное качество расту­щего зерна со скоростью охлаждения [6].

Приложение 1 написано совместно с А. Н. Черепановым [6].

Дополнительные условные обозначения

а — безразмерный коэффициент температуропроводности, а = Мер

Аь — параметр охлаждения нижней стенки кристаллизатора во П области

At — параметр охлаждения верхней стенки кристаллизатора во П области

Ь, — константа, связывающая скорость охлаждения и размер зерна, m(K/cV

Ь„ (т) — коэффициенты разложения 0(т, г) в ряд Фурье по синусам С — удельная теплоемкость, Дж/(кг-К)

с — безразмерная удельная теплоемкость, с — С / С*

D — эффективный диаметр фронта кристаллизации

d2 — средний размер вторичных дендритов, м

Я — координата границы I и II областей на оси X, м

А — безразмерная координата границы I и II областей

L — безразмерная длина кристаллизатора, L = XLI5

N — нормаль к фронту кристаллизации, м

п — целое число от 1 до о»

Nu — число Нуссельта, Nu = об / е

Ре — число Пекле, Ре = а„РС5 / Л

Т — температура, К

/ — безразмерная температура, t = T/Tc

Тм — средняя температура расплава в кристаллизаторе на интервале — ло <*<0, Тм =ГС+ДГ0/2,К Tv — средняя температура стенок кристаллизатора в зоне снятия перегрева,

tb (т) — безразмерная температура внутренней поверхности нижней стенки

кристаллизатора АТ0 — перегрев расплава, К

Д — безразмерный перегрев расплава, Дt0 = ДГ0 / Тс Д tw — безразмерное переохлаждение стенок кристаллизатора в зоне снятия перегрева, Дtw = (Тю — Тс)/Тс Vj — — скорость охлаждения, К/с

W — ширина ленты или канала кристаллизатора, м

X — горизонтальная ось, м

х — безразмерная горизонтальная координата, х-Х1Ъ

х0 — безразмерная координата зоны снятия перегрева

.Xq — координата зоны снятия перегрева на оси X

XL — длина кристаллизатора, м

Z — вертикальная ось, м

z — безразмерная вертикальная координата, г = Z / Ь

а — коэффициент теплопередачи, Вт/(м2-К)

Р — безразмерный параметр, 3 = Ре*„/ h = Ре*/ asmh

у — угол между £(х) и х, град.

S — толщина кремниевой ленты или высота канала кристаллизации, м

К — скрытая удельная теплота кристаллизации, Дж/кг

к — безразмерная скрытая удельная теплота кристаллизации, к = К / С’Тс

К * — эффективная скрытая удельная теплота кристаллизации, Дж/кг

к* — безразмерная эффективная скрытая удельная теплота кристаллизации, к* = К* / CscTc Л — теплопроводность, Вт/(м К)

X — безразмерная теплопроводность, X = Л / Л£

— корни уравнения sin ц„ = О

5(Л) — кривая проекции поверхности кристаллизации на плоскость X-Z

1;(х) — кривая проекции поверхности кристаллизации на плоскость x-z

Р — плотность, кг/м3

р — безразмерная плотность, р = Р / PJ

т — безразмерная координата ро оси х, т = (x-h)l$h = (x-h) /Ре„

xL — безразмерная координата конца кристаллизатора, тl={L — h) IPesm

Индексы

с — для температуры кристаллизации

і — для жидкой фазы

тп — для среднего значения в температурном интервале

5 — для твердой фазы

v — для величины, относящейся к единице объема

Кристаллизатор (рис. П. 1.1) представляет собой горизонтальный плоский щелевой канал высотой б и длиной L, внутри которого проис­ходит кристаллизация потока жидкого кремния (область кристаллиза­ции -1) и одностороннее охлаждение движущейся кремниевой ленты (область охлаждения ленты — II). Одностороннее охлаждение растуще­го кристалла приводит к тому, что фронт кристаллизации отклоняется от вертикальной оси, и передний край кристалла приобретает форму клина. Такая геометрия фронта кристаллизации позволяет в широком диапазоне изменять отношение между скоростью кристаллизации и скоростью вытягивания ленты. Поскольку стенки кристаллизатора толе тые, то технологически легче поддерживать тепловые условия, задав температуру вблизи их внутренних поверхностей.

Введем два утверждения, которые отвечают реальности техноло гического npoi., сса: кремниевая лента — тонкая; перенос тепла за сч движения ленты больше кондуктивного теплового потока вдоль гори зонтальной оси. Тогда продольным потоком тепла по сравнению с по перечным можно пренебречь. В разд. 1.3 мы укажем конкретные фа ницы такого приближения. Решения для областей I и II будем искаг отдельно. Сшивку решений осуществим по совпадению температур продольных тепловых потоков на границе раздела зон.

ЭЛЕКТРОННОЛУЧЕВОЕ ПЛАВЛЕНИЕ ПРЕССОВАННОГО ПОРОШКОВОГО ЛИСТА

В способе EPR [7] кремниевый порошок с размером зерен 70-100 мкм и электросопротивлением 1-2 Ом-см прессуется в плоскую заго­товку при давлении 20 МПа в тигле из карбида кремния. Плавление проводится сканирующим электронным пучком 100-300 Вт с диамет­ром пятна 0,5-1 мм в вакуумной камере, имеющей систему протягива­ния. Электронная аппаратура позволяет получать общий разогрев заго­товки до 1200-1300 °С и движущуюся зону расплава с температурой выше 1410 °С.

Толщина пластины составляла 150-300 мкм и зависела от глубины тигля. Кристаллическая структура EPR-пластин характеризуется столб­чатыми зернами, ориентированными параллельно оси вытягивания. Размеры зерен: несколько миллиметров шириной и несколько санти­метров длиной (-0,5-5 см2). Основйой проблемой, как и для всех спо­собов группы ЛПЗ, является наличие высоких термических напряже­ний из-за высоких температурных градиентов и нелинейного темпера­турного профиля во время кристаллизации.

Электрические и механические характеристики получаемой ленты:

Диффузионная длина НН, мкм 40-100

Подвижность, см2/(Вс):

основных носителей 25

неосновных носителей:

без пассивации 40-70

с пассивацией (С VD — пленка S13N4) 60-100

Остаггочные термические напряжения, МПа 30-120

Кпд экспериментальных СЭ на основе пластин EPR-Si составлял 8-9,5%, что явно недостаточно для существенного интереса к данному способу.

Способы, относящиеся к методу ЛПЗ, еще относительно новы и поэтому можно ожидать их усовершенствования. Однако применение лазерного и электронного лучей в связи с их малым кпд вряд ли будет перспективно с точки зрения энергосбережения и удешевления СЭ. Термические напряжения требуют дополнительного отжига пластин, что тоже удорожит технологию. Наиболее перспективными с этих то­чек зрения следует считать способы SSP и BRG, естественно, при неко­тором усовершенствовании.

ГОРИЗОНТАЛЬНЫЙ СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛА ПУТЕМ ЗАСЫПАНИЯ КРЕМНИЕВОГО ПОРОШКА В РАСПЛАВЛЕННУЮ ЗОНУ

Схема способа BRG представлена на рис. 9.4. Принципы действия оборудования заключаются в следующем. В зону выращивания посту­пает кремниевый порошок из источника 2, подогреваемый специаль­ным нагревателем 1. Слой порошка и затравочный кристалл 6 распола­гаются на подложке 12, которая состоит из двух частей, разделенных зазором. Подложка подогревается индукционными нагревателями 10, вызывающими тепловыделение в частях, имеющих переменную тол­щину, так что центральный участок вблизи зазора прогревается силь­нее. Основной нагрев осуществляется электрическим током между электродами 3, контактирующими с зоной выращивания, в результате чего образуется зона расплава 11. Правая часть заготовки при поступ­лении порошка вытягивается в горизонтальном направлении. Тепло­отвод 8 от зоны кристаллизации осуществляется инертным газом 9 и

Рис. 9.4. Схема получения кремниевой ленты способом BRG [5].

СО — (-) СО — (О

ГОРИЗОНТАЛЬНЫЙ СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛА ПУТЕМ ЗАСЫПАНИЯ КРЕМНИЕВОГО ПОРОШКА В РАСПЛАВЛЕННУЮ ЗОНУ

I — подогреватель кремниевого порошка; 2 — источник кремниевого порошка; 3 — основ­ные электроды; 4 — кварцевые изоляторы; 5 — вспомогательный электрод; б — кремние­вая лента; 7 — вторичный теплосъем; 8 — основной теплосъем; 9 — поток охлажденного Инертного газа; 10- нагреватель подложки; 11 — расплав; 12 — подложка с зазором меж­ду основными электродами.

регулируется по длине ленты определенной формой радиаторов 7, 8. В формировании ФК участвуют также основные электроды 3. В подэлек — тродных областях с каждой стороны расплавленной зоны 11 имеет ме­сто градиент силы тока. Таким образом, получается наклонный фронт кристаллизации, так что способ BRG имеет все преимущества роста клином. Наклон ФК к горизонтальной плоскости (при выращивании Si — лент) составлял у = 2° (рис. 9.5).

Авторы [5] предполагают, что если подложку, поддерживающую растущий ленточный кристалл, делать прерывистой вдоль оси ленты и изготавливать из кремния, то не будет внесения дополнительных за­грязнений из чужеродного материала. Отмечается также, что лента мо­жет иметь произвольную ширину при соответствующем контроле за распределением температур по краям. При выращивании более тонких лент очевидно, что величина требуемого для расплавления лент тока понижается.

ГОРИЗОНТАЛЬНЫЙ СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛА ПУТЕМ ЗАСЫПАНИЯ КРЕМНИЕВОГО ПОРОШКА В РАСПЛАВЛЕННУЮ ЗОНУ

Рис. 9.5. Схема зоны кристаллизации в процессе BRG [5].

/ — основной электрод; 2 — изотермы; 3 — ленточный кристалл; 4 — основной теплоотвод; 5 — расплав, у — угол наклона фронта кристаллизации; Тш — температура плавления; / — время прохода зоны кристаллизации; Го — температура нижней части ленты; (0, 0), (0, /о), (L, 0) — координаты протяженности фронта кристаллизации и времени.

Способ этот еще новый и сравнение его с другими технологиями затруднительно, в первую очередь, из-за отсутствия достаточной ин­формации. Необходимо отметить, что в схеме рис. 9.4 существует опасность электролиза примесей из материала электродов 3, непосред­ственно контактирующих с расплавом кремния, и даже растворения электродов.

Качество лент и солнечных элементов

Ширина получаемой ленты составляла 110 мм при толщине 300 мкм. В структуре материала наблюдаются удлиненные зерна несколько сантиметров в длину и до 1 см в ширину. Границы зерен практически перпендикулярны поверхности. Плотность дислокаций составляла 103-106 см-2, содержание кислорода —1-Ю16 см’3 и углерода —3-Ю17 см’3. Тестовые СЭ размером 2×2 см2 после водородной пассивации и алю­миниевого геттерирования показали эффективность выше 13%.

Достоинством данного способа является высокая чистота процесса и относительная, как считают авторы [2-4], простота оборудования. К недостаткам способа SSP нужно отнести:

— невозможность регулирования толщины ленты в процессе выра­щивания без изменения толщины порошкового слоя;

— наличие высоких градиентов температуры, приводящих к силь­ным термическим напряжениям.

ПОЛУЧЕНИЕ ЛИСТОВ ИЗ ПОРОШКА МЕТОДОМ ЗОННОЙ ПЛАВКИ

Основные принципы и технологические схемы

хема процесса SSP представлена на рис. 9.3. Исходный порошок кремния с размерами частиц от 150 до 500 мкм высыпается из воронки ровным плоским слоем на движущиеся кварцевые или кремниевые пластины 4 (рис. 9.3). Толщина исходного слоя — около 700 мкм. Под­держивающие пластины с порошком кремния транспортируются в зону сплавления 2 при помощи кварцевых роликов. Под действием радиа­ционного теплового потока верхний слой порошка расплавляется и свя­зывает частицы в ленту-заготовку. При этом жидкая фаза не достига­ет поддерживающих пластин, так что они легко отделяются от полу­ченной ленты-заготовки. После отделения поддерживающих пластин

ПОЛУЧЕНИЕ ЛИСТОВ ИЗ ПОРОШКА МЕТОДОМ ЗОННОЙ ПЛАВКИ

Рис. 9.3. Схема выращивания кремниевой ленты способом SSP [2].

I — зона плавления кристаллизации; 2 — зона поверхностного плавления; 3 — зона засы­пания порошка; 4 — поддерживающие пластины (конвейер); J> — галогеновая лампа; б — готовая поликристаллическая леита.

і

лента-заготовка идет по краевым опорам. Расплавление производится фокусированием света линейных галогеновых ламп 5 на порошковый слой и на ленту-заготовку с помощью отражателя. В следующей зоне 1 в заготовке полностью проплавляется срединная часть ленты между опорами. Нерасплавленные края, поддерживающие ленту 6, в дальней­шем отрезаются. Скорость вытягивания ленты достигала 2,5 см/мин.

Качество лент и солнечных элементов

При переплаве в вакууме способ RTR дает возможность получать очень чистый материал [1,6] ввиду отсутствия многих источников при­месей, присущих тигельным способам. Дополнительным фактором очистки служит испарение части примесей, более летучих, чем кремний.

w

Несмотря на то, что по схеме рис. 0.2 получается довольно широ­кая лента (~75 мм), в переплаве по схеме рис. 9.1 использовалась лента около 20 мм [1]. Типичная структура RTR-ленты содержала удлинен­ные зерна в несколько миллиметров шириной [1]. Плотность дислока-і

ций составляла 104— 106 см 2, а плотность микропреципитатов доходила до 103 см-3. Небольшая высота расплавленной зоны и очень высокие!

градиенты температур приводили к сильным механическим напряже­ниям и даже к разломам в кристаллизующейся ленте.

Средняя эффективность получаемых СЭ была в пределах 5-10% [6], а максимально достигнутый кпд СЭ составил 13%.

В настоящее время технология RTR практически заброшена [2] из — за технических трудностей, связанных с необходимостью увеличения ширины ленты, и из-за высокой стоимости процесса.

Получение микрокристаллических лент

Схема установки по способу CVD (Chemical Vapor Deposition) представлена на рис. 9.2. Тонкий слой кремния 6 осаждается из смеси

Получение микрокристаллических лент

Рис. 9.1. Схема выращивания кремниевой ленты способом лазерного переплава 1 — макрозернистая поликристаллическая лента; 2 — микрозериистая поликристалличе — ская ленточная заготовка; 3 — лазерные лучи; 4 — мениск.

реагирующих газов 5 на временную подложку — движущуюся транс­портную ленту 7. Реакция разложения газов идет в результате нагрева от резистивных нагревателей 3. Транспортная лента непрерывно про­ходит через кварцевую защитную трубу-лайнер 4, снаружи которой размещена система нагрева с теплоизоляцией. Кремниевая лента отде­ляется от транспортной снаружи лайнера.

Получавшаяся поликристаллическая кремниевая лента имела ши­рину до 75 мм, толщину около 100 мкм и низкую стоимость. Однако из — за очень малых размеров зерна она не могла быть применена непосред­ственно для изготовления СЭ и использовалась для переплава на лазер­ной установке RTR. Скорость выращивания при этом составляла до 2,5 см/мин.