Схема установки по способу CVD (Chemical Vapor Deposition) представлена на рис. 9.2. Тонкий слой кремния 6 осаждается из смеси

реагирующих газов 5 на временную подложку — движущуюся транс­портную ленту 7. Реакция разложения газов идет в результате нагрева от резистивных нагревателей 3. Транспортная лента непрерывно про­ходит через кварцевую защитную трубу-лайнер 4, снаружи которой размещена система нагрева с теплоизоляцией. Кремниевая лента отде­ляется от транспортной снаружи лайнера.

Получавшаяся поликристаллическая кремниевая лента имела ши­рину до 75 мм, толщину около 100 мкм и низкую стоимость. Однако из — за очень малых размеров зерна она не могла быть применена непосред­ственно для изготовления СЭ и использовалась для переплава на лазер­ной установке RTR. Скорость выращивания при этом составляла до 2,5 см/мин.