Схема способа BRG представлена на рис. 9.4. Принципы действия оборудования заключаются в следующем. В зону выращивания посту­пает кремниевый порошок из источника 2, подогреваемый специаль­ным нагревателем 1. Слой порошка и затравочный кристалл 6 распола­гаются на подложке 12, которая состоит из двух частей, разделенных зазором. Подложка подогревается индукционными нагревателями 10, вызывающими тепловыделение в частях, имеющих переменную тол­щину, так что центральный участок вблизи зазора прогревается силь­нее. Основной нагрев осуществляется электрическим током между электродами 3, контактирующими с зоной выращивания, в результате чего образуется зона расплава 11. Правая часть заготовки при поступ­лении порошка вытягивается в горизонтальном направлении. Тепло­отвод 8 от зоны кристаллизации осуществляется инертным газом 9 и

Рис. 9.4. Схема получения кремниевой ленты способом BRG [5].

I — подогреватель кремниевого порошка; 2 — источник кремниевого порошка; 3 — основ­ные электроды; 4 — кварцевые изоляторы; 5 — вспомогательный электрод; б — кремние­вая лента; 7 — вторичный теплосъем; 8 — основной теплосъем; 9 — поток охлажденного Инертного газа; 10- нагреватель подложки; 11 — расплав; 12 — подложка с зазором меж­ду основными электродами.

регулируется по длине ленты определенной формой радиаторов 7, 8. В формировании ФК участвуют также основные электроды 3. В подэлек — тродных областях с каждой стороны расплавленной зоны 11 имеет ме­сто градиент силы тока. Таким образом, получается наклонный фронт кристаллизации, так что способ BRG имеет все преимущества роста клином. Наклон ФК к горизонтальной плоскости (при выращивании Si — лент) составлял у = 2° (рис. 9.5).

Авторы [5] предполагают, что если подложку, поддерживающую растущий ленточный кристалл, делать прерывистой вдоль оси ленты и изготавливать из кремния, то не будет внесения дополнительных за­грязнений из чужеродного материала. Отмечается также, что лента мо­жет иметь произвольную ширину при соответствующем контроле за распределением температур по краям. При выращивании более тонких лент очевидно, что величина требуемого для расплавления лент тока понижается.

Способ этот еще новый и сравнение его с другими технологиями затруднительно, в первую очередь, из-за отсутствия достаточной ин­формации. Необходимо отметить, что в схеме рис. 9.4 существует опасность электролиза примесей из материала электродов 3, непосред­ственно контактирующих с расплавом кремния, и даже растворения электродов.