Tag Archives: гвт

Ветроэнергетика Китая

Китай официально объявил о пересмотре планов по строительству ветроэлектростанций: поставлена цель к 2020 г. довести мощность китайских ветряных турбин до 100 ГВт.

Новый план устанавливает планку мощности ветроэнергетики в 3 раза больше уровня, который ранее планировалось добиться за наиблежайшие 11 лет – согласно начальному плану, к 2020 г.

Япония установила практически 4 ГВт новых фотоэлектрических мощностей

Япония установила практически 4 ГВт новых фотоэлектрических мощностей

Японское Министерство экономики, торговли и индустрии (METI) сказало об установке 3993 МВт солнечных мощностей в стране, в период с 1 апреля по 31 октября 2013 года.
Агентство METI по природным ресурсам и энергетике (ANRE), собрало данные о новых генерирующих мощностях в сфере возобновляемых источников энергии.

Англия: фавориты тендеров на сооружение ветропарков

Посреди европейских компаний, выигравших тендеры на строительство больших оффшорных ветропарков у побережья Англии – энерго концерны RWE, E.ON, электротехнический концерн Siemens.

RWE Innogy будет участвовать в строительстве наикрупнейшго ветропарка мощностью 9 ГВт на отмели Доггербанк в Северном море.

РусГидро покупает контрольный пакет акций вьетнамской компании

ОАО «РусГидро» покупает контрольный пакет акций вьетнамской энергокомпании «Дакдрин Гидропауэр», которая в текущее время ведет строительство ГЭС мощностью 125 МВт на реке Дакдрин.

Соответственное соглашение «РусГидро» и собственник «Дакдрин Гидропауэр» — компания нефти и газа Вьетнама (PVN) — заключили в Ханое в рамках официального визита во Вьетнам Президента Рф Дмитрия Медведева.

Правительство не лицезреет место для ВИЭ в русской энергетике

Правительство не лицезреет место для ВИЭ в русской энергетикеНаша родина упрямо не замечает революцию в сфере развития другой энергетики в мире. После того, как в 2010 г. введенные в эксплуатацию в мире суммарные мощности возобновляемой генерации превысили все новые классические генерирующие мощности (топливные станции, большие ГЭС и атомные), альтернативную энергетику вернее было бы именовать не другой, а новейшей энергетикой.

Мотивированные характеристики РФ по развитию электроэнергетики на базе ВИЭ

8 января 2009 г. принято Распоряжение Правительства N1-р «Главные направления гос политики в сфере увеличения энергетической эффективности электроэнергетики на базе использования возобновляемых источников энергии на период до 2020 г.», устанавливающее принципы гос политики, комплекс мер по развитию и мотивированные характеристики (показатель в 4,5% электроэнергии на базе ВИЭ к общей генерируемой энергии к 2020 г.).

Прогноз развития мировой ветроэнергетики до 2013 г.

Изготовленный в 2009 г. прогноз развития ветровой энергетики позволяет ждать, что в наиблежайшие 5 лет мировой ветроэнергетический потенциал возрастет практически в 3 раза. Процесс роста ветроэнергетики возглавит Китай. В Европе и Северной Америке ожидается поступательный рост ветроэнергетической отрасли другой энергетики.

Прогноз: рынок солнечной энергии в Южной Европе

Организация Emerging Energy Research провела исследование рынка солнечной энергии в Южной Европе. Согласно заключению профессионалов компании, в короткосрочной перспективе испанский рынок будут ограничивать регулятивные трудности и европейскую солнечную энергетику будут развивать, приемущественно, Италия и Франция.

Оценка способностей роста производства солнечных частей на базе CdTe, CIGS и GaAs/Ge

Плеханов С.И., Наумов А.В.
ОАО НПП «КВАНТ» 2010

Введение – постановка задачки.
Сфера использования наземных солнечных частей (СЭ) расширяется и промышленно продвинутые страны строят масштабные планы роста солнечной энергетики. Если сейчас солнечная энергетика занимает наименее 1% в общемировом балансе произведенной электроэнергии, то к 2025 г.

Оценка способностей роста производства солнечных частей на базе CdTe, CIGS и GaAs/Ge в период 2010-2025 г.г. (Часть 2)

Поглядеть первую часть

Плеханов С.И., Наумов А.В.
ОАО НПП «КВАНТ» 2010

СЭ на А3В5/Ge с концентраторами
Современный СЭ на базе А3В5 представляет собой несколько эпитаксиальных слоев GaInP, GaInAs либо AlGaInP на подложке из Ge. Толщина фотоактивной области гетероструктуры составляет около 1 мкм.