Tag Archives: германий

Оценка способностей роста производства солнечных частей на базе CdTe, CIGS и GaAs/Ge в период 2010-2025 г.г. (Часть 2)

Поглядеть первую часть

Плеханов С.И., Наумов А.В.
ОАО НПП «КВАНТ» 2010

СЭ на А3В5/Ge с концентраторами
Современный СЭ на базе А3В5 представляет собой несколько эпитаксиальных слоев GaInP, GaInAs либо AlGaInP на подложке из Ge. Толщина фотоактивной области гетероструктуры составляет около 1 мкм.