Исследователи из Технологического института Джорджии (США) сделали новый тип трехмерной гибкой фотогальванической системы на базе выращенных на оптоволокне нанокристаллов окиси цинка и краски для солнечных ячеек.

С обыденного промышленного оптоволокна удаляется верхний слой изоляции; на оптоволокно наносится проводящее покрытие и нанокристаллы окиси цинка, которые покрываются светочувствительной краской. Солнечный свет, попадая на оптоволокно, проходит по нанокристаллам и ведет взаимодействие с молекулами краски. При каждом отражении в объеме волокна у света есть возможность вести взаимодействие с нанокристаллами, которые покрыты молекулами краски. Происходят неоднократные отражения света в границах волокна и нанокристаллов.

Изобретение ученых уступает по эффективности кремниевым фотоэлементам (3,3% эффективности преобразования солнечной энергии в электричество). Но за счет роста площади поглощения света и низкой цены применение гибкой фотогальванической системы становится экономически выгодным.