Теоретически и экспериментально удалось показать, что конст­рукция полупроводниковых фотоэлементов может быть оптимизи­рована таким образом, что практически вся инфракрасная часть солнечного излучения за краем основной полосы поглощения полупроводника (для кремния от 1,1 до 2,5 мкм) начнет проходить беспрепятственно сквозь фотоэлемент. Солнечное излучение с к 1,1 мкм будет поглощаться в полупроводнике во многом благодаря эффективным просветляющим покрытиям, а для тепло­вого собственного излучения с к > 3 мкм поверхность фотоэлемен­тов будет высокоизлучающей из-за свойства верхнего слоя оптиче­ского стекла поглощать в области спектра к 2,5 мкм. Такая селективность по спектру интересна не только своей сложностью и необычностью, но также и тем, что для ее получения необходимо использовать не только селективные оптические покрытия, но и сделать селективно прозрачным сам активный элемент преобразо­вателя солнечной энергии — полупроводниковый фотоэлемент.

Подобный подход потребовал проведения детальной теоретиче­ской оптимизации не только оптических, но и электрофизических свойств фотоэлементов, поскольку необходимо было добиться требуемой селективности без ухудшения КПД преобразования солнечной энергии.