Метод градуировки, который может применяться в наземных усло­виях, состоит в одновременном’ однократном измерении тока сол­нечного элемента и спектрального распределения энергии излуче­
ния. Внеатмосферный ток короткого замыкания рассчитывается по формуле, предложенной в работе [436]:

оо оо

Ламо = Ламт § Дамо (^) S’ / $ Дамт (^) (М dA., oil о

где /амт — значение тока эталонного элемента, измеренное в назем­ных условиях; Еамо (А,), /?Амт (Я,) — спектральная плотность энергии внеатмосферного и наземного солнечного излучения соответственно; S’ — относительная спектральная чувствительность эталонного эле­мента.

При таком методе градуировки требуется точное определение спектрального распределения энергии наземного солнечного излуче­ния (что представляет достаточно сложную задачу), а также отно­сительной спектральной чувствительности элементов.

Процесс градуировки эталонных элементов, включающий реги­страцию переменного во времени спектрального распределения на­земного солнечного излучения, может быть значительно ускорен и упрощен при использовании быстродействующих фильтровых, приз­менных или дифракционных монохроматоров-спектрометров.

Разработан быстросканирующий спектрорадиометр на диапазон длин волн 0,25—2,5 мкм, с шириной полосы пропускания 100 А во всем диапазоне и скоростью сканирования до 0,1 мкм/с [437]. Ди­спергирующим элементом спектрорадиометра является дифракцион­ная решетка с автоматическим перемещением и регистрацией дли­ны волны, на входе прибора установлен светорассеивающий элемент и оптическое устройство, позволяющее измерять отдельно прямую и рассеянную части падающего солнечного потока.

Для сравнения значений натурной и лабораторной градуировок параметров солнечных элементов были проведены в натурных усло­виях измерения интегрального фототока тонкопленочных солнечных элементов на основе гетеросистемы сульфид меди—сульфид кадмия для различной плотности солнечного потока при одновременной ре­гистрации его спектра.

Методика и результаты измерений в высокогорных условиях вне­атмосферных параметров солнечных элементов из кремния и на ос­нове гетеропереходов AlGaAs—GaAs и Cu2S—CdS изложены в рабо­тах [418, 419, 438].