Преобразование солнечной энергии в электрическую в элементах, изготовленных из полупроводниковых материалов с прямыми опти­ческими переходами, происходит в поверхностном слое глубиной не более 10 мкм, причем основная часть излучения поглощается в слое глубиной всего 2—3 мкм (см., например, рис. 1.1, кривая 2 и рис. 1.24,6). Обычно в качестве исходного материала для создания

таких элементов использовались базовые пластины толщиной 250— 300 мкм (см. рис. 2.20,6), что не оправдано ни с физической, ни с экономической точек зрения и объясняется лишь большими тех­нологическими трудностями и высоким процентом брака, возникаю­щего в производстве при попытках уменьшить толщину хрупких базовых пластин из монокристаллов арсенида галлия и прямозонных полупроводников. Вполне закономерным является в связи с этим стремление многих исследователей получить тонкие пленки полу­проводниковых материалов с прямыми оптическими переходами, чтобы создавать на их основе эффективные и дешевые солнечные элементы.