Многие физические свойства неупорядоченных полупроводников оп­ределяются термодинамической особенностью этого класса материалов: их удаленностью от состояния равновесия, характерного для кристаллов. Со временем такие структуры смещаются в сторону метастабильного равнове­сия. Это является причиной возникновения проблем практического характе­ра, связанных с временной и температурной деградацией характеристик при­борных структур, изготовленных на основе a-Si:H [25]- [30], [40]- [48].

В 1977 г. Стэблер и Вронски обнаружили, что после длительного осве­щения пленок a-Si:H белым светом величина проводимости уменьшается почти на четыре порядка (так называемый эффект Стэблера — Вронски) [40]. Под действием освещения возникает новое метастабильное состояние, обусловленное дефектами. На рис. 3.7 показано увеличение плотности со­стояний в щели подвижности a-Si:H с увеличением времени освещения. Все эти изменения являются, в то же время, обратимыми и после отжига при Т = 150 °С в течение одного часа свойства образца могут быть полно­стью восстановлены.