ОБЩИЕ ЗАМЕЧАНИЯ

Под к. п. д. г) на практике подразумевается отноше­ние максимальной МОЩНОСТИ Рмакс, которую можно снять с единицы площади преобразователя, к общей мощности солнечного излучения W, падающего перпендикулярно на единицу рабочей поверхности преобразователя, выра­женное в процентах:

Для создания фотоном в полупроводнике пары элек­трон — дырка требуется определенная энергия. В крем­нии, как отмечалось, она составляет 1,12 ;эв, что соот­ветствует длине волны 1,2 мк. Фотоны с большей дли­ной волны (вне инфракрасной области спектра) имеют меньшую энергию и поэтому польостью бесполезны. Фо­тоны с более короткой длиной волны также могут гене­рировать пары электрон — дырка, но, как показывают расчеты, к. п. д. в этом случае уменьшается, так как из­быток энергии фотона над величиной 1,12 эв рассеива­ется в виде тепла. Можно показать, что теоретический к. п. д. кремниевого элемента для солнечного спектра 3* * 35

должен быть приблизительно равен 22—23%. При этом пренебрегают внутренними потерями и полагают, что используются все пары электрон — дырка, образовав­шиеся в материале под действием света. Реальные фото­преобразователи обладают значительно белее низким к. п. д. [11], так как некоторые факторы снижают эту циф­ру. Эти факторы довольно многочисленны, и их можно разделить на две группы. К одной из них можно отнести факторы, обусловливаемые несовершенством приборов, а к другой — зависящие от условий эксплуатации.