В соответствии с предложенной классификацией (см. гл. 3) в дан­ной главе рассмотрены различные варианты способа Степанова (ST) — одного из первых способов, которым, были получены тонкие кремние­вые ленты [1-7]. Приоритет объясняется отчасти тем, что он был раз­работан ранее большинства других способов, а также тем, что он полу­чил достаточно полное теоретическое обоснование [8, 9] благодаря ра­ботам российских ученых. Этому способствовала также организация большого числа конференций, посвященных получению профилиро­ванных изделий непосредственно из расплава, как в России (в СССР), так и за рубежом [1, 4]. В результате данный способ — прямой вариант способа Степанова — оказался наиболее исследованным, широко опи­сан в литературе и нашел наибольшее практическое применение, в ча­стности для получения кремниевых пластин для солнечных элементов. Основные фирмы и разработчики: Россия — ФТИ РАН, ИФТТ РАН, ВНИИЭТО, Гиредмет и др.; США — Mobil Solar Energy Corp., IBM System Production Division; Япония — Hitachi Ltd.

Одной из разновидностей ST является обратный способ Степанова (IS), который отличается от "прямого" тем, что кристалл вытягивается вниз (см. рис. 3.1, б), а в основных своих чертах они подобны (сравн. с рис. 3.1, а). Первые публикации по IS-способу относятся к 1977 г. [1, 3, 5, 7, 10], где описывается разработка RCA Laboratories (Princeton, NJ) США. Одновременно этот способ разрабатывался в России; здесь он имеет определенные особенности. Еще он известен под названием ВОТ-метода (выращивание в окислительной среде в направлении силы тяжести) [11]. Первые публикации в России относятся к 1978 г. (см. в [12]).

ST — и IS-способы относятся к вертикальному варианту реализации; возможен и горизонтальный вариант [9], однако для получения крем­ниевых лент он не использовался.