Способы литья могут быть классифицированы на две группы пЛ следующим признакам (рис. 3.3). К первой группе относятся те из нюД в которых формообразующим носителем кристаллизующегося вещестШ ва является удаляемая подложка (лента, ткань, сетка и т. п.), используе-Я мая единожды (литье на одноразовую подложку — ЛОП). В случае кри-Я сталлизации на носителе тоже выполняется соотношение vK = wB siny, а’Я поэтому скорости получения ленты л-Si в таких методах тоже могутЯ быть очень высоки. Однако носитель-подложка должна стравливаться,* так что одноразовое использование дорогостоящих подложек наклады-Я вает определенные экономические ограничения. К методу ЛОП отно-Ц сятся: выращивание кремниевого листа на керамической подложке -11 SOC (Silicon On Ceramic), SCIM (Silicon Coating by Inverted Meniscus); выращивание ленты на подложку, протягиваемую через расплав — RAD (Ribbon Against Drop); выращивание кремниевой ленты на графитовую сетку — S-Web (Supported Web); способ двух формообразующих эле — . ментов — TSE (Two Shaping Elements). М

Вторая группа включает литейные способы, отличающиеся тем«Я что применяются подложки многоразового использования (литье наЯ многоразовую подложку — ЛМП). Отделение закристаллизовавшегося» вещества от материала такой подложки обычно происходит при охлаж-Я дении автоматически, за счет разницы в коэффициентах расширения.* Экономическая выгодность второй группы способов литья очевидна,» хотя надо учитывать более высокую стоимость носителей, используе — Я мых в этом случае, и стоимость процесса их регенерации. Сюда отно — ж сятся (см. рис. 3.3) выращивание кремниевой фольги на временной 1 подложке-рампе — RAFT (Ramp Assisted Foil Casting Technique); гори­зонтальная реализация RAFT — способ ICC (Interface-Controlled Crystal­lization Method); выращивание ленты на подложку — RGS (Ribbon Growth on Substrate); способы литья кремниевой ленты с использовани­ем быстро вращающегося цилиндра (барабана) — RCSR (Rapid Cast Silicon Ribbon) и RQ (Roller Quenching); литье кремниевых пластин с центрифугированием ‘в многократно используемых формах — HSCT (Hoxan Spin Cast Technique).

Обе группы способов литья могут быть разделены по признаку движения или неподвижности подложки относительно расплава, т. е. либо носитель движется через расплав или касаясь его, либо расплав заливается в носитель, представляющий собой литейную форму, дви­жущуюся затем вдоль градиента температурного поля. Реализованы как горизонтальные, так и вертикальные варианты движения носителя.