Группа покрытий — чистый, слаболегированный полупроводник на полированном металле

В качестве примера такой селективной поверхности в работе [ 1071 рассмотрена пластина монокристаллического кремния, на которую с тыльной стороны испарением в вакууме нанесен непрозрачный слой алюминия. Монокристаллический слаболегированный крем­ний с концентрацией примесей менее 1017 см-3 при качественной полировке обеих поверхностей образца практически не обладает поглощением в области к ^> 1,1 мкм вплоть до 25—30 мкм, кроме нескольких узких полос поглощения (за счет растворенного кислорода и колебаний решетки). Поэтому при нанесении на тыль­ную поверхность кремния высокоотражающего металлического слоя коэффициент отражения такой системы в области Я, Д> 1,1 мкм

image142

image143
image144

 

будет в значительной степени зависеть от коэффициента отражения на границе кремний—металл. При X 1,1 мкм коэффициент отражения будет определяться только показателем преломления кремния в этой области спектра и составлять 35—40%. Отражение при к 1,1 мкм может быть уменьшено нанесением просветляю­щих покрытий [128]. На рис. 3.6 представлены результаты работы [107] по таким поверхностям, позволяющим получить є = 0,12.

Несомненно, что слишком низкий интегральный коэффициент поглощения солнечного излучения такой системы ас = 0,65 объясняется тем, что для исследования был выбран кремний (Eg = 1,02 эВ), который становится прозрачным уже при X > >1,1 мкм, а солнечное излучение в спектральной области X = = 1,1 — г — 3 мкм отражается тыльным металлическим слоем. По­скольку для селективных покрытий, предназначенных для работы при 120—220° С, Хпор. опт = 2,5 — f — 3,0 мкм, значительно большего значения ас удалось бы достигнуть, выбрав для создания покрытия сернистый свинец (прозрачен при X > 2,5 мкм) или германий (прозрачен при X > 1,8 мкм).