По данным [63], все фирмы, связанные с производством ФЭС на пластинах, стремятся использовать сравнительно дешевый "солнечный" кремний (c-Si), который "грязнее" полупроводникового на три-четыре порядка. При этом слитки c-Si не выращиваются, а производятся по литейной технологии, с дальнейшей резкой их на пластины, подобно мк-Si. Получаемый кпд nK-Si/СЭ всего на несколько процентов меньше, чем у MK-Si/СЭ (см. рис. 3 и табл. 2), при значительном снижении стои­мости материала.

Таблица 2

Кпд солнечных элементов и стоимость солнечных модулей (72,88]

Высокие значения кпд (например, ~16,4% у c-Si/СЭ площадью 15×15 см2 [89]) достигаются только при текстурировании (рифлении) лицевой поверхности и нанесении определенных покрытий [90, 91]. Попытки понижения стоимости nK-Si/СЭ осуществлены за счет исполь­зования ом-Si [92]. Он, естественно, грязнее, чем "солнечный" (см. гл. 1» п. 3), и за счет повышенного содержания примесей имеет место де­градация СЭ во время эксплуатации (за 3 года с 6,6 до 4,7% [92]).

Существенным достоинством солнечных модулей, батарей и ФЭС, собранных из прямоугольных элементов, которые получаются в техно­логиях a-Si:H/C3 и nK-Si/СЭ, является больший коэффициент заполне­ния фронтальной площади модулей и батарей: на 20% больше, чем у батарей из круглых солнечных элементов, производимых на базе моно —

кристаллических пластин из СЧ-Si. Соответственно большей может быть общая эффективность таких ФЭС.

В целом, несмотря на то, что стоимость nK-Si/СЭ ниже, чем мк — Si/СЭ, и имеются дополнительные их преимущества, автор [63] счита­ет, что технология получения пластин пк-Si резкой литых слитков кремния дорогая и дешевле будет применять технологии литья непо­средственно лент или листов.