К способам литья кремния на подложки многоразового использо­вания относятся (см. рис. 3.3): RAFT и 1СС (разработанные фирмами Wacker, Heliotronic Gmbh, Chemitronic Gmbh — Германия); RGS (Bayer AG — Германия); RCSR (ARCO Solar — США); RQ (Vacuumschmelze Gmbh — Германия).

В этих пяти методах пластины или ленты л-Si образуются при на­мораживании жидкого кремния на непрерывно и быстро движущиеся относительно холодные подложки-носители (как и в гл. 7). Поэтому их отличает высокая производительность, а следовательно, и дешевизна получаемых кремниевых пластин, что дало соответствующий импульс развитию (см. 3.4). Однако при высоких скоростях движения подложки или, в общем случае, носителя кремниевой ленты/пластины трудно управлять процессом теплообмена. Поскольку масса тонкой пленки мала, процесс кристаллизации протекает в основном за счет теплоотда­чи в подложку при ее высокой теплоемкости, а не теплоотдачи от нее, поэтому с ростом скорости движения носителя происходит увеличение скорости кристаллизации, а это приводит к измельчению зерна, высо­ким термическим напряжениям и соответственно к относительно низ­ким кпд СЭ.

Способ HSCT, разработанный фирмой Hoxan (Япония), отличается от предыдущих тем, что расплав заливается в литейные формы, имею­щие плоскую щелевую полость. В результате производительность меньше, но качество пластин лучше.

Все приведенные в этой главе способы характеризуются особыми покрытиями носителей и форм, так как необходимо, чтобы жидкий кремний образовывал равномерную пленку, но кремниевая лента (плас­тина) легко отделялась от материала носителя без разрушения с обеих сторон.