18.06.2014   Получение кремниевых пластин для солнечной энергетики

ВЫРАЩИВАНИЕ КРЕМНИЕВОГО ЛИСТА НА КЕРАМИЧЕСКУЮ ПОДЛОЖКУ

Способ разрабатывался фирмой Honeywell (США). Существует как вертикальный вариант способа — SOC, так и горизонтальный — SCIM. В обоих вариантах для подложек использовались керамические материа­лы с различными покрытиями (в основном графитовыми) [1]. Подлож­ка касается расплава (рис. 7.1, 7.2), и на ней формируется тонкая пленка толщиной 50-100 мкм. Вытягивание производилось с постоянной ско­ростью в диапазоне 2,4-9 см/мин. Эффективность СЭ, полученных на SOC-Si и SC1M-Si лентах, достигала 10%.

ВЫРАЩИВАНИЕ КРЕМНИЕВОГО ЛИСТА НА КЕРАМИЧЕСКУЮ ПОДЛОЖКУ

Рис. 7.1. Принципиальная схема выращивания кремниевого слоя на керамической подложке способом SCIM [12].

1 — керамическая подложка; 2 — корпус фидера; 3 — мениск жидкого кремния;

4 — слой затвердевшего кремния.

В настоящее время эти способы не используются [2]. Основной недостаток — теряемая дорогостоящая подложка, материал которой во избежание сильных термических напряжений при охлаждении подби­рался таким образом, чтобы его коэффициент линейного термического расширения (KJITP) был близким к КЛТР закристаллизовавшегося кремния.

ВЫРАЩИВАНИЕ КРЕМНИЕВОГО ЛИСТА НА КЕРАМИЧЕСКУЮ ПОДЛОЖКУ

Рис. 7.2. Принципиальная схема выращивания кремниевого слоя способом SOC [1].

1 ~ мениск жидкого кремния; 2 — поверхность роста {110}; 3 — плоскости двойникова — Ния {111}; 4 — керамическая подложка; 5 — углеродный слой; б — фронт кристаллизации; 7 — расплав кремния; S — поверхность расплава.

Похожие посты: