Если в предыдущих способах для выращивания кремниевых лис­тов или лент использовалась затравка, то в технологиях, описанных ниже, применяются подложки из различных материалов, на которых и происходит кристаллизация кремниевого слоя. В принципе, получае­мые таким образом сэндвичевые структуры можно использовать не только для изготовления солнечных элементов, но и других изделий, у которых может не требоваться удаление подложки. При изготовлении СЭ необходимо наличие нижнего (тыльного) контакта (см. рис. 1.1) и, как правило, тыльного изотопного перехода. Это приводит к необхо­димости стравливания или другого способа удаления подложечного материала.

К методам литья на подложку одноразового пользования (ЛОП) относятся способы SOC, SCIM, RAD, S-Web, TSE (см. гл. 3, рис. 3.3). Они различаются материалами подложки и их структурой, направле­ниями роста и вытягивания и другими характеристиками.

Во всех этих способах используются эффекты смачивания и адге­зии жидким кремнием подложки, которая является не только формооб­разующим элементом, но также и аккумулятором тепла кристаллизации. Традиционно эти способы относятся к методам непрерывного литья.