Междендритные монокристаллические кремниевые ленты выра­щивают шириной до 7 см, длиной до 17 м и толщиной 100-150 мкм при непрерывной подпитке расплава [4]. D-Web-способом выращива­ются и бездислокационные ленты кремния [3], но обычно плотность дислокаций составляет около 103 см-2 [5]. Одним из источников обра­зования дислокаций являются опорные дендриты. При высокой скоро­сти выращивания ленты на грани {111} опорного дендрита может обра­зоваться незарастающая центральная область в виде "желоба". "Желоб" захватывает расплав и после его кристаллизации в опорном дендрите возникают напряжения, которые могут быть источником дислокаций в ленте. Выбирая необходимые параметры роста опорных дендритов, можно исключить образование "желоба". Уменьшение вертикальных градиентов температуры в ленте и в расплаве, в частности за счет доба­вочных тепловых экранов, позволяет снизить плотность дислокаций. Можно применять временное утоныиение междендритной ленты с це­лью выклинивания дислокаций [3]. Области ленты, связанные с двой­никовой ламелью, могут иметь повышенную плотность дислокаций [3] (в виде сетки прямолинейных дислокаций) по сравнению с остальной частью ленты.

Электрические свойства пластин из междендритных лент

Электрические характеристики монокристаллических межденд­ритных лент практически не отличаются от электрических характери­стик пластин, вырезанных из слитков СЧ-Si [3-5]. Когерентные плос­кости двойникования в лентах не влияют заметным образом на их элект­рическую однородность. Так, созданные в [5] по одинаковой техноло­гии D-Web-СЭ и СЧ-СЭ показали одинаковые кпд — 10,7%. Объемное время жизни неосновных носителей заряда Хнн в междендритных лен­тах достаточно велико для изготовления СЭ с высоким кпд — 17,2% (при АМ1) [4]. В то же время экспериментально измеренное Хнн, без учета поправок на толщину, в лентах значительно меньше, чем в СЧ-Si. В промышленном производстве средняя эффективность СЭ на пласти­нах из междендритных лент составляет 14% [4].