Основные технологические схемы

Схемы двух вариантов теплового узла для выращивания кремние­вых лент способом D-Web представлены на рис. 5.3, 5.4. Могут быть использованы как резистивные, так и индукционные нагреватели.

В установках с одноразовой загрузкой тигля по мере выращива­ния ленты ее толщина уменьшается из-за увеличения вертикального

Основные технологические схемы

Рис. 5.3. Схема цилиндрической печи для выращивания междендритной ленты кремния [5].

1 — направление вытягивания; 2 — междендритный плоский кристалл; 3 — тепловой экран;! 4 — расплав кремния; 5 — кварцевый тигель; 6 — молибденовые подставки; 7 — сапфи­ровая трубка с защитой; 8 — кварцевая труба печи; 9 — поток аргона; 10 — ВЧ-индуктор.

w

градиента температуры VT. Для получения лент постоянной толщиньїі поддерживается постоянный уровень расплава с помощью подпитки.1 Схема контроля за уровнем расплава с использованием лазера показана! на рис. 5.5 [4]. Толщиной ленты можно управлять, изменяя скорость| вытягивания и температуру нагревателя [5].

Процесс выращивания междендритной ленты сильно зависит оті тепловых условий в расплаве и над ним; любые колебания сказываются! на толщине получаемой ленты [6]. Поверхностная скорость выращива-1 ния поликристаллических лент л-Si достигает 10 см2/мин [4], линейная | — 1,5 см/мин.

.1 2

Основные технологические схемы

Рис. 5.4. Схема печи вытянутой формы, соответствующей геометрии темпера­турного поля (рис. 5.2) в процессе выращивания междендритной ленты [5].

I — верхние тепловые защитные экраны; 2 — отверстие для подпитки расплава; 3 — ме*’ дендритный плоский кристалл; 4 — ВЧ-индуктор; 5 — экраны; 6 — подставка.

Рис. 5.5. Схема системы лазерного контроля уровня расплава [4].

I — уровень расплава; 2 — лазер; 3 — фотодиод; 4 — усилитель; 5 — детектор интенсивно­сти; 6 — детектор положение/интенсивность; 7,8 — цифровой интегратор; 9, 10 — цифро­вой дискриминатор; II — отношение; 12 — задатчик уровня расплава; 13 — задатчик сме­шения скорости подачи гранул; 14 — механизм подачи; 15 — подача гранул.

Основные технологические схемы

Q

Ке

->

fedl