Основная структура всех выращенных лент — поликристалличе — ская. Типичными дефектами являются границы зерен, параллельные оси роста; линии двойникования, параллельные оси роста; поверхност­ные включения, не связанные с дефектами в их окрестности, а также связанные с линейными дефектами.

Выращенные ленты содержали длинные (до нескольких сантимет­ров) зерна вдоль направления роста. В работе [25] разориентация меж­ду зернами варьировалась от 0,1 до 1°. Плотность ямок травления дис-

3 3 *

локационной природы составляла около 6-Ю см. Из-за использова­ния ФО из BN уровень легирования кремниевой ленты бором достигал 5-Ю19 см-3. На фотографиях, приведенных в [25], ясно видно, что на поверхности ленты имеются неровности, связанные со сложностью под­держания постоянной скорости вытягивания.

Ориентация монокристаллической затравки влияет на отклонение двойниковых границ от направления роста [12] следующим образом:

Ориентация монокристаплической затравки <110>, <321>, <112>.

Отклонение двойниковых границ

от направления роста ~0°, -17°, ~30°.

В лентах, выращенных на поликристаллические затравки, изготов­ленные из ранее выращенных лент, ориентация плоских двойниковых границ такая же, как в затравочном кристалле. При толщине лент 0,4- 0,8 мм плоские двойниковые границы пронизывают ленту на всю тол­щину. Угол наклона плоских двойниковых границ относительно нор­мали к плоскости ленты лежит в пределах 0-30°.

В ряде лент, выращенных на монокристаллические затравки, непо­средственно после фронта затравления были выявлены монокристал — лические участки длиной 0,5-5 мм, захватывающие всю ширину ленты. Максимальных значений (до 80×25 мм) они достигают в лентах, выра­щенных на затравки, ориентированные в направлении <321>. Моно­кристалл ические участки обрывались фронтом зарождения множест­венных плоских двойниковых границ из-за нестационарности тепловых условий.

Так как в [12] процесс роста проводился в окислительной среде, то все выращенные ленты были покрыты оксидной пленкой «-типа про­водимости толщиной 15-80 мкм, которую необходимо стравливать в технологии СЭ. Ленты, выращенные из Si-сырца, легированного оором, имеют p-тип проводимости и УЭС = 0,3-К2,0 Ом-см, концентрацию но­сителей (1,5—2,1)-1019 см-3, подвижность ц = 210-^270 см2/(В с), содер­жание оптически активного кислорода в лентах более 3-Ю18 см-3.

Качество изготавливаемых солнечных элементов

В работе [25] описано изготовление СЭ из полученной ленты по той же технологии, что и для пластин кремния, полученного способом Чохральского. Сравнение показало, что кпд СЭ из IS-Si составлял 8%, а кпд СЭ, полученных из СЧ-Si по той же технологии, — 10%. Различие, как видно, не очень велико.

Лучшие СЭ, изготовленные из лент, полученных в [12], имели кпд более 1 1%.