Классификация способов получения л-Si впервые была предложе­на в работе [1]. В ней кратко рассмотрены практически все известные способы. Они подразделялись на две основные группы: способы выра­щивания на затравку и способы литья. Каждая из этих групп делилась на две подгруппы:

1) способы выращиванш на затравку — в которых направление скорости кристаллизации (роста) vK противоположно направлению ско­рости вытягивания vB, а направления vK и бв различаются на угол мень­ше 180°, что приводит к приобретению кристаллом формы клина вбли­зи фронта кристаллизации (ФК);

2) способы литья — литье на подложки одноразового или многора­зового использования.

Такая классификация или совсем не может включить в себя ряд способов, или относит способы, обладающие общими существенными отличительными признаками, к разным группам и подгруппам (такие группы и подгруппы в дальнейшем называются методами). Это касает­ся и способов локального плавления плоской заготовки. Как было уже отмечено в гл. 2, необходимо учитывать и пространственную ориента­цию роста [2], так как она существенным образом влияет на устойчи­вость технологического процесса. В то же время близкие способы мо­гут быть разделены также по принципам формообразования. Это, на­пример, относится к способам, использующим фильеру, и способам, стабилизирующим и ограничивающим рост на краях ленты. Таким об­разом, в данной главе предлагается новая, более широкая, классифика­ция способов получения кремниевых лент и листов, чем в [1] и [2]. Она позволяет более детально рассмотреть имеющиеся способы, отметить и проанализировать общие и характерные особенности.